Der Aufwachsen-Prozess wird mit Hybridverfahren durchgeführt, das die Abdampfung des Materials mit einem Elektronenstrahl (EB-Electron Beam) nutzt, und mit der Bogen-Vakuum-Methode (AE-Arc Evaporation).
In dem technologischen Prozess verwendet man zwei Anlagen, die im Institut für Nutzungstechnologie – im Staatlichen Forschungsinstitut in Radom entwickelt und gebaut wurden:
Anlage Special – zwecks Aufwachsen von einer Wolframschicht mit Dicke ca. 6um und
Anlage Standard – zwecks Aufwachsen von einer Schicht Zr-DLC mit Dicke ca.1,5um.
Der vielschichtige Überzug W/Zr-DLC mit Gesamtdicke ca. 7,5um charakterisiert sich durch eine sehr hohe Härte von ca. 3800 HV, eine gute Beständigkeit gegen Verschleißverbrauch in der erhöhten Temperatur, und auch durch eine niedrige Benetzbarkeit dem flüssigen Kupfer gegenüber. Der vielschichtige Überzug W/Zr-DLC kann mit Erfolg als ein Antiverbrauch-Überzug für die in den Gießprozessen der Nichteisenmetalle verwendeten Graphitteile gebraucht werden.
Farbe: grau
Gesamtdicke des Überzugs: 7,5μm
W-Schichtdicke: 6,0μm
Zr-DLC-Schichtdicke: 1,5μm
Zr-DLC-Schichthärte: 3800HV
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